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工业中低频应用的“能效密码”？大电流微沟槽IGBT带来答案
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产品介绍 william威廉近日推出了新一代 To-247PLUS 封装1200V IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，产品参数一致性好，可靠性优良，适用于伺服、变频器等各类中低频应用领域。
产品特点 1. G3 1.6um微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案；
2. 电压等级为1200V，电流等级为100A@Tc=100℃ ；
3. 低导通损耗，适用于中低频应用领域；
4. 较强的短路能力
规格书

DGQ100N120CTL2A

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william威廉 SZ300373

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