英国·william威廉|官方网站-Brand Company

中文 EN
首页
关于我们
新品发布
用于伺服控制器、变频器、工业电源的微沟槽IGBT
用于伺服控制器、变频器、工业电源的微沟槽IGBT 返回
新产品宣告

产品介绍 william威廉近日推出了新一代 TO-247 封装 50A 650V IGBT单管,产品采用1.6um微沟槽工艺平台,大大提高功率密度,具有较低的导通损耗及开关损耗,可适用于伺服控制器、变频器、工业电源等中低频应用领域。
产品特点 1. 采用1.6um微沟槽工艺平台;
2. 电压等级为650V,电流等级为50A@Tc=100℃ ;
3. 低导通损耗,低开关损耗;
4. 较强的短路能力
规格书

DGW50N65CTL2A

相关新品

高浪涌防护!DFN1608封装ESD,小封装硬实力

TOLL封装 SiC MOSFET

突破硅基局限,SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效

用于散热风扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

用于汽车电子的N100V MOSFET新品

SGT N80-85V Power MOSFET

用于负载开关的P 40V Trench新品

SMB-W封装EM540BG

低功耗可控硅,赋予小家电更多可能!

SOD-123HE TVS二极管

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验,相关信息请访问我们的法律声明与隐私声明。如果您选择继续浏览这个提示,便表示您已接受我们网站的使用条款。

XML 地图