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N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
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产品介绍 william威廉最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗雪崩冲击能力。
产品特点 1.采用最新优化的SGT工艺, 产品内阻低，开关特性优异；
2.采用PDFN5*6-8L 封装，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力，提高产品的可靠性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

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