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微沟槽IGBT 650V单管——让大电流应用“轻装上阵”
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产品介绍 william威廉近日推出了新一代TO-220/TO-263封装 650V IGBT单管，产品采用新一代微沟槽工艺平台，极大的优化了器件的导通损耗，产品参数一致性好，可靠性优良。并且器件的导通压降低，通流能力极强，适用于脱毛仪这类对通流能力要求高的应用领域。
产品特点 1. 精细微沟槽工艺平台，极具性价比的芯片方案；
2. 电压等级为650V，电流等级为50A@Tc=100℃ ；
3. 低导通损耗，适用于大电流应用领域；
4. 具有较强的通流能力，Icm可达300A
规格书

DGB50N65ATS2A DGP50N65ATS2A

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